ディー・クルー・テクノロジーズ Blog

bookmark_borderBGR(Band Gap Reference) (1)

今日は電源などに広く使われているBGR(Band Gap Reference)について今回は触れてみたいと思います。

Band Gapと言われても、Bandとは? 何と何のGap?などの疑問が出てきますが、その辺りの歴史は良く知りません。ただ、Referenceと言うことから”基準“であることに間違いはないです。

基準電圧を作るには電源電圧を使う(抵抗で分圧して欲しい電圧を作る)のが一番簡単なのですが、電源電圧が変化すると、基準電圧も変わってしまいます。

回路設計をしていると、コンパレータの閾値や電流源の電流値など、電源が変化しても変って欲しくない値が必要になってきます。

こういった値を回路の中で作るには基準となるものが必要で、BGRが良く使われます。

図1 BGR

BGRを作っているのは図 1にかいた2つのダイオードと抵抗です。

特徴的なのは、抵抗が付いている側のダイオードは並列なのですが、抵抗がないほうは1つです。

この回路のVa,Vbに同じ電流を流した時に、Va,Vbの電圧を見て見ると、次のようになります。

図2

ダイオードしか付いていないVa(緑の線)はあまり傾斜が無く比較的平らになります。(つまり、電流が流れてもあまり電圧は変化しません)。一方で抵抗が付いているVb(オレンジの線)は傾斜を持っています。(抵抗があるので、電流が増えれば電圧も増えます)。

このVaとVbの交わる点(縦の赤いカーソル)がBGR電圧を作り出しているのです。

つまり、この交点となる電流は温度と抵抗値のみで決まっていて、電源電圧とは全く無関係なのです。計算式を使って説明しないと納得できない方もいると思いますので、やってみます。ダイオードの順方向電圧Vfと順方向電流Ifの関係式は、

で表されて変形すると

 となります。図 1の回路に当てはめると、

注)右側のダイオードは並列にm個並んでいるので、一個当たりに流れる電流はIb/mと成ります。

このVaとVbが等しくなる点の電流を計算すると、

と成りますが、逆飽和電流:Isは通常1e-15などと非常に小さな値をとるので、Ia>>Is、Ib>>Isから

と近似できます。更にIa=Ib=Ifとすると、

を得ることが出来ます・・・VtとRbgrと定数しか残っていないです。

この式の凄い所は「電源電圧や電流がどこにも入っていない!」ことです。つまり、電流Ifは電源電圧や電源電流とは無関係に決まると言うことです。

この電流Ifに抵抗Rcを付けた時に発生する電圧Vcは、

と成って、電源電圧とは全く無関係で、抵抗比と定数Ln(m)とVt(つまり温度)に依存する電圧を作り出すことが出来ます。

更にVtに依存する部分、つまり温度をキャンセルできれば、温度、電源電圧、素子の絶対値バラツキとは全く無関係な電圧を作り出すことが出来ます。

次回は、VaとVbを一致させる回路を含めて、BGR回路全体を紹介したいと思います。

bookmark_borderシステムLSIの低消費電力化技術(6)  

昨今はチャージリサイクリングによる低消費電力化の研究が活発です。その1つを今日はお話します。

チャージリサイクリングでViを下げる

以前の記事で解説した数式を1つ思い出していただきたいのですが、CMOSLSIの消費電力の算出で、Pcは(1)「C・Vi・Ve・f」もしくは(2)「C・Ve2・f」で表されます、と申し上げました。このうちViを、「チャージリサイクリング」と呼ばれる低消費電力化を図る技術についてご紹介します。

チャージリサイクリング技術とは?


ブログをご覧の皆様には基本的レベルの事ですが、重要なのであえて申し上げますと、LSIの内部ノードは、演算動作に応じてVeと0の間を遷移します。内部ノードを、0→Veにする時は電源から所定のノードへ電荷を供給し、Ve→0にする時はノードの電荷をGNDへ引き抜いています。

演算動作中、演算を実施しているノードと、これから演算を開始するノードがLSI内で同時に存在します。すなわち“Ve”へ充電したいノードと“0”へ放電したいノードが混在する。ということが頻発します。この状態でノード毎に充放電すれば、当たり前ですが消費電力量は増えますね。

チャージリサイクリングとは、あるノードをVe→0にする時、その電荷をすべてGNDへ捨てるのはもったいないので、電荷の一部を0→Veにしたい別ノードへ渡して再利用する技術なのです。

なんとも賢い方法ですね。原理図を示します。

図16 チャージリサイクリング技術(原理図)

チャージリサイクリングのメカニズム


メカニズムを簡単に説明します。

ノード[A]、[B]を各々Ve→0、0→Veにする場合、t1のタイミングでS1をONさせ電荷分配によってノード[A]および[B]をVe/2にします。次いでt2のタイミングでS2(GND側スイッチ)、S3(電源側スイッチ)をONし、ノード[A]、[B]を各々目標のVe/2→0、Ve/2→Veにします。この過程において、ノード[A]の放電する電荷の1/2はノード[B]を充電するために再利用されている。このチャージリサイクリング技術によって、消費電力を1/2に低減する事ができるわけです。

チャージリサイクリング技術の強誘電体メモリ応用例

さらに、図17にこの技術を強誘電体メモリ(FeRAM)へと応用した事例を示します。従来強誘電体メモリは、セルプレート線に容量値の大きい強誘電体メモリセルが接続されており、その充放電時の消費電力が大きな問題でした。

図17 強誘電体メモリ(FeRAM)への応用事例

メモリアクセスによってセルプレート選択線CP1=“1”(選択)からCP2=“1”へ切り換えるとき、まず、電荷回収用容量線CP0とCP1をSW1によってONさせ、CP1とCP0とを電荷分配させる。この時、CP1の電荷の一部がCP0へと転送されます。次にCP0とCP2をSW2によってONさせると、CP0の電荷の一部がCP2へ転送されます。
すなわち、放電すべきCP1の電荷の一部が、スイッチドキャパシタ動作によってCP1→CP0→CP2のパスで、充電すべきCP2で再利用することができるのですね。この時 CPn/CP0値を最適化すれば、およそ50%近い電荷再利用効率を得る事ができた、という事例になります。

「容量の充放電」がポイント

ポイントは、CMOSLSIで使われる電力のほとんどが「容量の充放電」で費やされている事実です。ですから、チャージリサイクリングのような「容量の充放電」をコントロールする技術は低消費電力化において重要な技術です。言い換えるなら、LSI回路設計における低消費電力化とは「ある大きな容量のノードを放電する時、その電荷をどこか他のノードに利用できないか?」が本質といっても過言ではありません。(その解決策を考えるのがLSI技術者の面白いところでもありますね)

さて、システムLSIの低消費電力化技術についてはひとまず終え、次は高速化技術についてご紹介できればと思います。

bookmark_borderシステムLSIの低消費電力化技術(5)

今日はアルゴリズムの工夫による低消費電力化についてです。

動画処理の世界では、動画をフレームで記録する際に、データ線の遷移確率を減らすデータ表現等が次々に発表されていきました。今日は私が以前映像録画機器で用いた事例として「符号付き絶対値表現」を用いた低消費電力化手法を紹介いたします。

ビデオ信号のフレーム差分データ処理

記録中の映像フレームで、絵の一部が動いたか、そうではないか、をLSIで検出処理する場合、現在のフレームと1フレーム前とのビデオ信号の差を判別する処理が必要となります。15図で示した通り、この時必要なフレーム差分データは、一般に大きな容量ノードであるバスラインあるいはチップ外へ出力されることが多いので、消費電力が大きくなりがちです。またビデオ信号はフレーム間の相関が大きく、差分処理の出力が、「少し大きい」あるいは「少し小さい」値となる場合が多いです。

デジタルデータで処理する場合、通常「2の補数」で表現します。図15にも示しましたが、1サンプルごとにMSBからLSBまで表現する場合、ほとんどのビットが赤数字で示したようにデータ遷移してしまいます。このビットのデータ遷移=電力消費の発生ですから、大きな電力消費をしていることになります。

図15 符号付き絶対値表現による低電力化

符号付き絶対値表現

これに対し図15の中央のように「符号付き絶対値表現」を用いますと、この仕組みでは専用の符号ビットを持たせていますので、符号ビット自身は頻繁にデータ遷移しますが、一方で絶対値データ値のビット(LSB近傍を除く)はほとんどデータ遷移しません。データ遷移がなければ電力消費しないので、「符号付き絶対値表現」を用いると、データバスやLSIチップ間配線の様な(消費電力が大きくなる)大容量ノードでのデータ遷移の確率を減らすので、十分な低消費電力化が見込めます。

この方法によって、世の中のビデオカメラの画像信号のフレーム間処理や、水平走査線間処理等の相関の大きな信号処理の低消費電力化に成功するなど、家庭録画機器の低消費電力化と性能アップに特に有効な手法となりました。

次はチャージリサイクリングによる低消費電力化について、ご紹介します。